LPDDR5T 개발 주역들인 김현승(왼쪽부터) 설계품질혁신 TL, 김기룡 모바일 PE1 TL, 정승현 DRAM상품기획 TL, 송경근 DRAM PMO TL, 조선기 인터페이스 TL [SK하이닉스 뉴스룸]

[헤럴드경제=김민지 기자] SK하이닉스가 지난달 25일 공개한 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’ 개발 주역들의 인터뷰를 자사 뉴스룸을 통해 8일 공개했다. 앞서 LPDDR5X 제품을 선보인지 2개월만에 13% 빨라진 제품을 내놓을 수 있었던 배경에 대해 이들은 ‘만족을 모르는 도전정신’을 꼽았다.

개발을 이끌었던 김현승 설계품질혁신 TL은 “앞서 개발한 LPDDR5X에서 모바일용 D램에 세계 최초로 HKMG 공정을 도입하는 과정에서 JEDEC에서 정한 LPDDR5X의 기준인 8.5Gbps를 상회하는 동작 속도를 구현해냈다”며 “당시 더 빨라진 속도의 제품을 개발할 수 있을 것이라는 확신이 생겼고, 더 빠른 제품 개발을 위해 연구를 계속 이어나가 LPDDR5T를 개발하게 된 것”이라고 말했다.

LPDDR5T 개발 프로젝트를 총괄했던 송경근 DRAM PMO TL은 “만약 우리가 LPDDR5X 개발에 만족하고 아무것도 하지 않았다면 LPDDR5T는 이 세상에 존재할 수 없었을 것”이라며 “이미 세계 최고의 성능과 전력 효율성을 보유한 제품을 개발했으면서도 더욱 향상된 성능의 제품을 시장에 내놓고자 했던 우리 구성원들의 도전정신이 돋보인 제품이라고 생각한다”고 밝혔다.

개발 초기에는 내부 구성원들을 설득하는 과정이 필요했다. LPDDR5X가 공개된 지 얼마 되지 않았기 때문에 LPDDR5T 개발 보다는 다음 세대인 LPDDR6 개발에 집중하는 게 좋지 않겠냐는 의견이 나왔다. 이에 김기룡 모바일 PE1 TL은 “사실 저 역시 ‘LPDDR5T를 찾는 수요가 있을까?’ ‘시장성이 확보될까?’라는 질문을 하기도 했고, 확신이 들지 않았던 순간도 있었다”며 “상품기획 구성원들이 우리의 도전의지를 보며 적극적으로 고객사들과의 소통을 통해 수요가 많다는 점과 시장성이 분명하다는 점을 확인해 줬다”고 설명했다.

LPDDR5T 제품 [SK하이닉스 뉴스룸]

기술적 난제에 대해 회로 설계를 담당한 조선기 인터페이스 TL은 “제품 자체가 9.6Gbps를 구현할 수 있다고 해도, 이것을 검증하기 위한 테스트 장비가 없으며, 시스템에서 조차 속도제한이 걸려있는 경우가 많아서 정확한 확인이 어려웠다”며 “(이를) 해결하기 위해 속도 특성에 영향을 주는 항목들을 하나하나 도출하고 각 항목의 속도별 목표치를 설정해 관리하고 측정했다”고 밝혔다.

한편, LPDDR5T 제품은 모바일용 D램 규격인 LPDDR5에 터보(Turbo)의 T를 붙인 것으로, 동작 속도의 혁신을 이뤘다. LPDDR5X의 동작 속도인 8.5Gbps(초당 8.5기가비트)보다 13% 빨라진 9.6Gbps의 속도를 자랑한다. 현존하는 모바일용 D램 중 가장 빠르다.

국제반도체표준협의기구(JEDEC, Joint Electron Device Engineering Council)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동하는 초 저전력 특성도 구현했다. 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전 용량을 개선한 차세대 공정 HKMG(High-K Metal Gate) 덕분이다.