삼성전자 메모리 테크데이. [삼성전자 제공]

[헤럴드경제=문영규 기자] 삼성전자가 내달 3~5일 미국 새너제이에서 ‘테크데이’와 ‘삼성파운드리포럼(SFF)’을 연이어 개최하며 ‘기술 초격차’를 위한 여정을 소개한다. 시스템LSI와 메모리반도체, 파운드리(반도체 위탁생산)에 이르기까지 반도체 생산 전 분야를 다루는 이번 행사에서 주요 고객들을 대상으로 200단 이상 초고층 낸드플래시, 2나노미터(1㎚=10억분의 1m) 초미세공정 등 삼성전자의 최첨단 반도체 기술 전망 등이 소개될지 관심이 모아진다.

25일 반도체 업계에 따르면 내달 3일 SFF를 시작으로 4일 SAFE(삼성파운드리생태계)포럼, 5일엔 시스템LSI 테크데이와 메모리 테크데이가 열린다.

SFF에는 최시영 사장(파운드리사업부장)이 기조연설자로 나선다. 강문수 부사장(비즈니스 디벨롭먼트 팀장)은 최신 반도체 이중집적기술과 관련한 주제로 연단에 선다. 최근 영입된 마코 키사리 부사장과 심상필 부사장도 시장 전망에 대해 이야기한다.

삼성파운드리포럼 현장. [삼성전자 제공]

SFF는 독일 뮌헨(7일)과 일본 도쿄(18일), 서울(20일)에서도 열린다.

SAFE에는 이상현 부사장(디자인플랫폼개발실)이 나온다. 사신 가지 시높시스 최고운영책임자(COO)와 조 마크리 AMD 최고기술책임자(CTO)도 기조연설을 한다.

이어지는 시스템LSI 테크데이에는 박용인 사장(시스템LSI사업부장)이 ‘4차산업혁명을 위한 시스템LSI 전략’을 주제로 기조연설을 한다. 이밖에 ‘빅데이터 기반 인공지능(AI) 기술’, ‘고성능 센서 및 디스플레이 기술’ 등에 대한 주제가 다뤄진다.

메모리 테크데이에선 ‘스토리지 솔루션 확장을 위한 낸드 기술’을 비롯해 D램 및 차량용 솔루션 등을 주제로 한 발표가 이어질 전망이다.

최시영 삼성전자 사장(파운드리사업부장)이 지난해 SFF에서 기조연설을 하고 있다. [삼성전자 제공]

삼성전자는 지난해 SFF에서 2나노 양산 로드맵, 세계최초 3나노 게이트올어라운드(GAA) 기술 개발 및 상용화 등을 공개한 바 있다. 당시 최시영 사장은 기조연설에서 “내년(2022년) 상반기 반도체 GAA기술을 기반으로 한 3나노 공정을 상용화하고 2025년 2나노 양산을 시작할 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난 6월 말 3나노 파운드리 양산을 발표했다.

메모리 분야에선 마이크론, SK하이닉스 등이 200단 이상 초고층 낸드 개발 및 양산(계획)을 발표하며 치열한 기술 경쟁이 벌어지고 있다. 마이크론이 지난 7월 세계 최초 232단 낸드 양산을 공개한데 이어 SK하이닉스는 지난달 238단 세계 최고층 4D 낸드 개발에 성공해 내년 상반기 양산을 목표로 하고 있다고 밝혔다. 중국 YMTC도 232단 낸드 기술을 확보했다고 선언하기도 했다.

삼성전자는 이미 200단 이상 낸드 기술력은 이미 확보했으나 기술적 완성도에 보다 더 심혈을 기울이고 있는 것으로 알려졌다. 이번 포럼에서는 파트너사들에게 경쟁사 대비 보다 완성도 높은 발전된 기술을 소개하고 ‘기술 초격차’를 강조할 것이란 기대다. 최근 반도체 시장 업황 둔화 전망이 이어지는 가운데 기술로 이를 극복하겠다는 전략이다.

재계 한 관계자는 “업황이 좋지 않을수록 각 사가 혁신 기술을 갖춰 고객에게 어필하고 시장에서의 경쟁력을 유지하려고 한다”며 “앞으로도 기술 경쟁은 더욱 강화될 것”이라고 말했다.