-지난 18일 엔에이치스팩8호와 합병 종료…내달 1일 상장 예정
[헤럴드경제=최준선 기자] 무선통신장비용 반도체 전문업체 알에프에이치아이씨(RFHIC)가 엔에이치스팩(기업인수목적회사)8호와의 합병을 통한 코스닥 상장에 들어간다.
21일 금융투자업계에 따르면 지난달 14일 주주총회 승인을 거쳐 이달 18일 합병계약을 마무리한 RFHIC는 내달 1일 코스닥에 상장할 예정이다. 합병가액은 RFHIC가 1주당 1만7436원, 엔에이치스팩8호는 1주당 2000원이다. 합병 비율은 1대 8.718이다.
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| 조덕수 RFHIC 대표이사 [사진=IFG파트너스 제공] |
지난 1999년 설립된 RFHIC는 국내에서 유일하게 질화갈륨(GaN) 소재를 적용한 트랜지스터와 통신용ㆍ레이더용 전력증폭기를 생산하는 업체다. 이 회사는 그동안 전량 수입에 의존하던 GaN 전력증폭기를 국산화했으며, 나아가 인공위성과 방산 등 제한된 용도로 사용되던 GaN을 통신용으로 대량 양산할 수 있는 시스템을 구축했다. 이로써 기존 시장을 장악하던 실리콘 기반 LDMOS 소재와 경쟁할 수 있는 체제를 갖췄다는 게 업계의 평이다.
회사 측은 통신과 방산 부문에서 동시에 고성장을 이어갈 수 있을 것으로 기대하고 있다. 우선 통신부문에서 주목하고 있는 것은 5세대(5G) 통신 시장의 급격한 성장이다. 업계에 따르면 5G 시장은 오는 2020년부터 2026년까지 연평균 86.1%의 성장률을 이어갈 것으로 전망된다.
회사 관계자는 “5G시대에는 고주파수 대역 사용이 늘어나고 데이터 전송 속도, 양, 수요 등이 모두 증가한다”며 “고주파수 대역에서 성능 저하를 보이는 기존 LDMOS 트랜지스터를 대신해 GaN 소재 트랜지스터와 전력증폭기 사용이 급격히 늘어날 것”이라고 전망했다.
방산 부문에서의 성장도 기대된다. 레이더 송수신 부품시장의 중심이 기존 진공관 방식 부품에서 GaN 등 반도체 방식 부품으로 옮겨가고 있기 때문이다.
회사 측 설명에 따르면 기존 진공관 방식 부품은 고전압 사용으로 잦은 고장을 일으키고 수명도 짧은 반면, 반도체 방식은 소형화가 가능해 운영 효율성을 극대화할 수 있는데다 일부 불량 발생에도 정상 운용이 가능하다. 회사 관계자는 “글로벌 시장 내에서 진공관 부품 교체가 확대되고 있다”며 “GaN 트랜지스터의 대량생산과 자체공정을 통해 확보한 원가경쟁력을 바탕으로 시장점유율을 확대해 나갈 것”이라고 말했다. 현재 RFHIC는 국내 방산업체인 LIG넥스원은 물론 글로벌 방산업체인 록히드마틴, BAE시스템스, 레이시온 등 다양한 기업에 업체등록을 완료했다.
특히, RFHIC는 신소재 연구개발을 통한 경쟁력 확보에도 박차를 가할 방침이다. 현재 이 회사는 신소재(GaN on Diamond) 웨이퍼 연구개발을 진행하고 있으며, 내년 중 양산에 돌입할 계획이다. 이밖에도 RFHIC는 총 사업규모가 90억원에 달하는 6건의 국책과제를 수행 중이며, 지난 5월 한국산업기술진흥원과 중소기업청이 주관해 선정하는 ‘월드클래스 300 기업’에 선정되기도 했다.
한편, RFHIC는 지난해 매출과 영업이익으로 각각 612억원, 55억원을 기록했다. 전년 대비 23%, 83% 증가한 규모다. RFHIC는 지난 2013년 772억원의 매출을 기록한 이후 2년 연속 하락세를 보인 바 있다.
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