WIO2는 반도체 분야 표준화기구인 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 차세대 고성능 모바일 D램의 한 종류로 20나노급 공정을 적용한 8Gb(기가비트) 용량의 제품이다.
이 제품은 SK하이닉스가 지난 해 말 개발에 성공한 LPDDR4와 마찬가지로 1.1V 동작전압으로 저전력 특성을 강화했으며, 정보입출구(I/O)의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 것이 특징이다.
기존 LPDDR4는 3200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능하다. 반면 WIO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하지만, 정보출입구 개수가 512개에 달해 초당 51.2GB의 데이터를 처리 할 수 있다. 초당 처리용량이 기존 LPDDR4 보다 4배 빠른 것으로 현존하는 모바일 D램 가운데 최고라는 게 SK하이닉스의 설명이다.
D램은 DDR 제품을 기반으로 진화를 계속해 왔으나, 최근에는 고성능을 요구하는 고객의 수요에 맞춰 초고속메모리(HBM) 및 와WIO2 등과 같은 새로운 형태로도 발전하고 있다.
SK하이닉스는 현재 주요 시스템온칩(System on Chip) 업체에 샘플을 공급했으며, 내년 하반기부터 양산에 나서 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화할 계획이다. 고객사에서는 WIO2와 함께 SoC를 탑재해 한 시스템을 이루는 ‘시스템 인 패키지(System in Package)’ 형태로 최종 공급할 예정이다.
SK하이닉스 김진국 모바일개발본부장(상무)는 “WIO2 제품으로 확대되는 고성능 모바일 D램에 대한 고객의 요구를 만족시킬 것”이라며, “향후에도 지속적으로 고성능, 저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다”고 밝혔다.
SK하이닉스는 작년 12월과 올해 4월에 업계 최초로 실리콘관통전극(TSV) 기술 기반의 HBM과 128GB 서버용 모듈을 개발해 상품화를 진행 중이다. 또 TSV 기술 적용이 가능한 WIO2 개발도 완료해 TSV 기술 리더십을 더욱 공고히 해 나갈 방침이다.
kyhong@heraldcorp.com
