반도체 미세공정 개발우위 확보
속도 증가로 전력효율도 개선
프리미엄 메모리시장 확대 주도
삼성전자가 ‘3세대 10나노급(1z) D램’ 개발에 성공하며 ‘초격차’ 경쟁력 확보에 교두보를 마련했다.
삼성전자가 기술력을 바탕으로 국내외 후발주자와의 격차를 벌리며 시장 지배력을 확보함으로써 향후 반도체 미세 공정 개발에서의 우위를 공고히 할 수 있게 됐다.
삼성전자는 21일 세계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 밝혔다.
기존 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한 지 16개월만이다.
DDR4는 D램의 동작속도로 규정하는 반도체의 규격으로, 데이터를 읽고 쓰는 속도에 따라 DDR1, 2, 3, 4, 5로 구분한다. 숫자가 높아질수록 데이터 처리 속도는 기존 대비 2배씩 빨라진다.
기존 DDR1이 400Mb/s로 동작한다면 DDR5는 16배 속도로 작동한다. 주로 서버, PC 등에 사용되며, 이동성이 강조되는 휴대용 디지털 기기에는 저소비전력의 D램인 LPDDR(Low Power Double Data Rate)이 적용된다.
삼성전자가 이번에 개발에 성공한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램은 초고가의 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 장비를 사용하지 않고도 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선하면서 기존 미세 공정의 한계를 극복했다는 데 의미가 있다.
다만 이번 3세대 10나노급(1z) D램 제품은 서버용과 PC용으로, 양산이 아닌 개발 완료 단계인 만큼 속도와 전력효율 등 구체적인 스펙은 공개되지 않았다.
EUV는 현재 노광장비(반도체의 재료인 웨이퍼에 빛을 쬐 반도체 회로를 형성시키는 설비)에 사용하는 불화아르곤(ArF)을 대체할 수 있는 광원이다.
파장 길이가 기존 불화아르곤의 14분의1 미만으로, 보다 세밀한 반도체 회로 패턴 구현에 적합하고 복잡한 멀티패터닝 공정을 줄일 수 있어 반도체의 고성능과 생산성을 동시에 확보할 수 있는 장점이 있다.
삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다.
삼성전자는 올 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.
이와 함께 삼성전자는 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.
한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대해 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.
이태형 기자/thlee@heraldcorp.com
